ダイボンディング・次世代パワー半導体向け　低温焼結タイプ TKペーストCM-4230

製品の特長

銀焼結接合とは

銀焼結接合とは、微細な銀粒子を加熱によって焼結させ、接合層を形成する技術です。一般的なはんだ接合と比較して高い耐熱性と放熱性を持ち、近年ではSiCやGaNなどの次世代パワー半導体向け接合技術として注目されています。

一般的な鉛フリーはんだとの比較

高放熱・高信頼性 導電性接着剤 CR-3520/CR-3990

低温焼結する高導電・高伝熱銀ペースト「TKペーストCM-4230」は 高放熱タイプのダイボンディングペーストです。N2雰囲気下での無加圧焼結に対応。大気雰囲気下では200℃で焼結が可能です。 加圧加熱で緻密化も可能！

特性表

用途	バインダー	比抵抗	熱伝導率	粘度	焼結温度・時間	荷姿	保管
ダイボンディング	-	5×10-6Ω・cm	170W/m・K	51Pa・S	60℃×60分＋ 200℃×60分(大気中)	-	冷凍(-10℃以下)

主な用途

• SiCパワーモジュール
• GaNパワーデバイス
• IGBTモジュール
• 高出力LED実装
• 車載パワーエレクトロニクス
• EV用インバータモジュール
• DC-DCコンバータ
• 産業機器向けパワーモジュール
• 高耐熱電子部品実装
• 高放熱ダイボンディング用途

よくあるご質問

その他のTKペーストラインナップ

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